자기저항성 랜덤 액세스 메모리(MRAM) 기술을 상용화한 선도 기업으로, 비휘발성 메모리 솔루션을 개발 및 제조하고 있습니다. MRAM은 전원이 차단되어도 데이터가 유지되는 비휘발성과 RAM의 속도 및 내구성을 결합한 혁신적 메모리 기술입니다.
Toggle MRAM과 스핀-토크 MRAM(STT-MRAM)으로 구성된 제품 포트폴리오를 보유하고 있으며, 산업 표준 인터페이스를 지원하여 기존 메모리 시스템과의 호환성을 제공합니다. 또한 3D 터널 자기저항(TMR) 센서를 통해 높은 자기 감도의의 모노리식 솔루션을 제공합니다.
기존 SRAM, DRAM 및 플래시 메모리와 비교했을 때 더 빠른 읽기/쓰기 속도, 낮은 전력 소비, 높은 내구성이라는 경쟁 우위를 가지고 있습니다. 특히 임베디드 시스템, 산업 자동화, 데이터 센터 등 미션 크리티컬한 분야에서 전력 중단 시에도 중요 데이터를 보호할 수 있는 강점을 제공합니다.
| 시가총액 | 190백만달러 |
|---|---|
| 기업가치 EV | 148백만달러 |
| 주식수 | 23,147,119주 |
| 주당배당금 | 0.00달러 |
| 배당수익률 | 0.00% |
| 주가수익배수 PER | -334.00배 |
|---|---|
| 주가순자산배수 PBR | 2.90배 |
| 자기자본이익률 ROE | -0.90% |
| 주당순이익 EPS | -0.02달러 |
| 주당순자산 BPS | 2.90달러 |